中低壓SGTMOS系列
東微的SFGMOS系列MOSFET產品采用半浮柵結構，兼?zhèn)淞藗鹘y(tǒng)平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優(yōu)點，并具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點。SFGMOS系列MOSFET產品涵蓋20V~200V全系列，可廣泛應用于電機驅動、同步整流等領域中。
東微的SFGMOS系列MOSFET產品采用半浮柵結構，兼?zhèn)淞藗鹘y(tǒng)平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優(yōu)點，并具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點。SFGMOS系列MOSFET產品涵蓋20V~200V全系列，可廣泛應用于電機驅動、同步整流等領域中。
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