發(fā)布時間：2016-12-30來源：
通過潛心自主研發(fā)，2016年12月，東微半導體的SGT-MOS實現(xiàn)量產(chǎn)，SGT-MOS采用半浮柵結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞藗鹘y(tǒng)平面結(jié)構(gòu)和SGT結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的優(yōu)點，并具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性及更快的開關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率等優(yōu)點，可廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、同步整流等領(lǐng)域中。
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