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SiC MOSFET

第三代半導(dǎo)體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。東微研發(fā)團(tuán)隊(duì)在寬禁帶半導(dǎo)體研究上有豐富的經(jīng)驗(yàn)，研發(fā)了一系列SiC MOSFET 和GaN HEMT 器件。

SiC MOSFET具有高功率密度、低反向恢復(fù)電荷、高開關(guān)頻率的特性，工作溫度高達(dá)200°C，可以完美替代Si IGBT在高壓大功率領(lǐng)域的應(yīng)用。

下載資料

Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	V_{th_typ}(V)	R_on (Ω)
Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	18V
All TO247 TO247-4L TO247-plus TO263 TO263-7L TO247-4L-NL TOLL X2PAK		All N Dual N P	All 1200 650 1400	All 30 20 15 -8/+22 -20 12 -10/+23

封裝	料號	配置	VDS (V)	VGS (V)	ID (A) TA=25	Vth_typ(V)	Ron (Ω) 2.5v

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