東微半導(dǎo)體自主研發(fā)的SGT-MOS實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2016-12-30
東微半導(dǎo)體的SGT-MOS實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，SGT-MOS采用垂直自對(duì)準(zhǔn)半浮柵器件的類似制造流程，兼?zhèn)淞藗鹘y(tǒng)平面結(jié)構(gòu)和SGT結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，并具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性及更快的開關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率等優(yōu)點(diǎn)
4.jpeg)
